半导体结构及其形成方法、横向扩散P型金氧半晶体管
授权
摘要
本发明涉及一种半导体结构，包括设置于半导体基板上的埋层，埋层为第一型掺杂。第一磊晶层形成于埋层上，其为第二型掺杂。第二磊晶层形成于埋层上，其为第二型掺杂；隔离结构设置于埋层上并设置于第一磊晶层与第二磊晶层之间，且该隔离结构为第一型掺杂。第一井区形成于第一磊晶层上，其为第二型掺杂；第二井区形成于第二磊晶层上，其为第二型掺杂；以及第三井区形成于隔离结构上并设置于第一井区与第二井区之间，且该第三井区为第一型掺杂。隔离结构与埋层及第三井区交界，以阻挡第一井区与第二井区的漏电流路径。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其形成方法、横向扩散P型金氧半晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967870A
申请号 ：
CN200610019889.3
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2006-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李国廷伍佑国陈富信姜安民
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玉双
优先权 ：
CN200610019889.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/04 H01L21/336 H01L21/822
法律状态
2009-02-11 ：
授权
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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