横向双扩散晶体管及其制造方法

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摘要

公开了一种横向双扩散晶体管及其制造方法，该横向双扩散晶体管包括衬底；漂移区，位于所述衬底顶部；漏区和体区，分别位于所述漂移区顶部的相对两侧；源区和体接触区，均位于所述体区内部，且相互邻接；以及介质层和场板层，依次层叠在所述漂移区的表面；所述体区部分向所述漏区所在的方向延伸，形成至少一个体区延伸区，所述体区延伸区和与之邻接的所述漂移区呈交叉指状分布；所述体接触区位于所述体区内远离所述漏区的一侧，且所述体接触区部分向所述漏区所在的方向延伸，形成体接触区延伸区。该横向双扩散晶体交叉指状体区和锯齿状体接触区，在增加了器件的沟道密度，减小了导通电阻的同时可以有效地减小体区电阻，防止寄生的NPN误开启。

基本信息

专利标题：

横向双扩散晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111710722A

申请号：

CN202010685897.1

公开（公告）日：

2020-09-25

申请日：

2020-07-16

授权号：

CN111710722B

授权日：

2022-05-10

发明人：

葛薇薇

申请人：

杰华特微电子（杭州）有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司

代理人：

蔡纯

优先权：

CN202010685897.1

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336