横向双扩散晶体管及其制造方法

授权

摘要

本申请提供了一种横向双扩散晶体及其制造方法，包括：衬底和位于衬底上部的漂移区；位于衬底表面上的多个场氧化层；位于漂移区上部相互隔开的第一N型阱区和P型阱区，以及与P型阱区相邻的第二N型阱区；位于衬底表面上的且覆盖部分P型阱区的第一栅氧层、第一多晶硅层、第二栅氧层和第二多晶硅层；分别位于第一N型阱区、P型阱区和第二N型阱区中的第一N+区域、第二N+区域和第三N+区域；以及位于P型阱区中的P+区域和第四N+区域，第四N+区域位于第二多晶硅层两侧，且位于P+区域和第三N+区域之间。该横向双扩散晶体管在漂移区的阱区中形成不同的P+区域和N+区域，使得器件的导通电流提高，且漏端电流得到控制。

基本信息

专利标题：

横向双扩散晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112397507A

申请号：

CN202011275829.4

公开（公告）日：

2021-02-23

申请日：

2020-11-16

授权号：

CN112397507B

授权日：

2022-05-10

发明人：

韩广涛

申请人：

杰华特微电子（杭州）有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司

代理人：

刘静

优先权：

CN202011275829.4

主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L27/088 H01L27/098 H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/8232