一种横向PNP晶体管及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明涉及一种横向PNP晶体管及其制造方法，该PNP晶体管包括在外延衬底上，通过一层薄的氧化层，离子注入浓硼形成横向PNP的发射极和集电极，离子注入浓磷形成横向PNP的基极，然后再在上面覆盖一层二氧化硅，一层低压化学汽相沉积的氮化硅，一层低温沉积的二氧化硅。接着运用光刻和RIE等离子刻蚀的方法形成横向PNP晶体管的发射极、基极、集电极的接触孔，最后溅射铝硅铜膜完成器件结构。本发明在现在采用在横向PNP晶体管表面增加沉积一层低压化学气相沉积的氮化硅，提高横向PNP放大倍数达30－50％，而且改善了横向PNP晶体管集电极电流与电流放大倍数关系曲线的线性度。
基本信息
专利标题 ：
一种横向PNP晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1971858A
申请号 ：
CN200510110543.X
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈康民
申请人 ：
上海贝岭股份有限公司
申请人地址 ：
200233上海市宜山路810号
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
章蔚强
优先权 ：
CN200510110543.X
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2011-09-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101183785631
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 200510110543X
公开日 : 20070530
号牌文件序号 : 101183785631
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 200510110543X
公开日 : 20070530
2009-01-14 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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