横向双扩散的MOS晶体管及其制造方法
专利权的终止
摘要
横向双扩散MOS晶体管，包括设置在第二传导类型的半导体衬底上的第一传导类型的漂移区和形成在漂移区内的表面上的第二传导类型的体扩散区。MOS晶体管包括形成在该一个位置以使其经由绝缘膜而覆盖从体扩散区部分到位于扩散区外的漂移区的部分的栅极；MOS晶体管还包括分别形成在体扩散区顶部和漂移区顶部的第一传导类型的源极扩散区以及第一传导类型的漏极扩散区，它们分别对应于栅极的两侧。漏极扩散区包括具有源极扩散区峰值浓度的1/1000或更高浓度的深度扩散部分，且它被定位在比源极扩散区更深的位置上。
基本信息
专利标题 ：
横向双扩散的MOS晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815757A
申请号 ：
CN200610005451.X
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
泷本贵博福岛稔彦
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李玲
优先权 ：
CN200610005451.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L21/265
法律状态
2016-03-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101650104549
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL200610005451X
申请日 : 20060118
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20150118
号牌文件序号 : 101650104549
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL200610005451X
申请日 : 20060118
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20150118
2009-03-25 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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