用于形成氧氮化物层的方法和系统
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种在衬底上制备氧氮化物膜的方法。将所述衬底的表面暴露于氧自由基以在所述衬底上形成氧化物膜，所述氧自由基通过第一处理气体的紫外(UV)辐射诱导解离而形成，所述第一处理气体包含至少一种包含氧的分子组合物。将所述氧化物膜暴露于氮自由基来氮化所述氧化物膜，并形成所述氧氮化物膜，其中所述氮自由基是通过包含至少一种含氮的分子组合物的第二处理气体的等离子体诱导解离而形成的，所述解离使用基于通过具有多个缝隙的平面天线的微波辐射的等离子体。
基本信息
专利标题 ：
用于形成氧氮化物层的方法和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101151718A
申请号 ：
CN200680010882.3
公开（公告）日 ：
2008-03-26
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
井下田真信考利·瓦吉达大卫·L·欧梅拉克里森·希尔古川俊治
申请人 ：
东京毅力科创株式会社;国际商业机器公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李剑
优先权 ：
CN200680010882.3
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/469
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2009-11-18 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-05-21 ：
实质审查的生效
2008-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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