钽氮化物膜的形成方法
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摘要
本发明通过在真空室内导入含有在钽元素(Ta)的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1－6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体，使其在基板上吸附后，导入卤素气体，生成TaNx(Hal)y(R，R′)z化合物(式中，Hal表示卤素原子)，然后导入活性化的反应气体，将Ta上键合的N、与N结合的Hal、与N结合的R(R′)基切断除去，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供C、N含量低、Ta/N组成比高，作为确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻的钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。
基本信息
专利标题 ：
钽氮化物膜的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091002A
申请号 ：
CN200680001460.X
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
五户成史丰田聪牛川治宪近藤智保中村久三
申请人 ：
株式会社爱发科
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN200680001460.X
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 H01L21/285 H01L21/3205 H01L23/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2010-08-25 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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