通过原子层沉积在基材上形成过渡金属铌氮化物膜的方法和相关...
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摘要
提供了用于通过原子层沉积在基材上形成过渡金属铌氮化物膜的方法和相关的半导体装置结构。在一些实施方式中，方法可包括使基材与包含过渡金属前体的第一反应物接触，使基材与包含铌前体的第二反应物接触，+和使基材与包含氮前体的第三反应物接触。在一些实施方式中，相关的半导体装置结构可包含半导体主体和包含在半导体主体上沉积的过渡金属铌氮化物的电极。
基本信息
专利标题 ：
通过原子层沉积在基材上形成过渡金属铌氮化物膜的方法和相关半导体装置结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108004523A
申请号 ：
CN201711057557.9
公开（公告）日 ：
2018-05-08
申请日 ：
2017-11-01
授权号 ：
CN108004523B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
J·P·陈F·阿洛克塞
申请人 ：
ASMIP控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
江磊
优先权 ：
CN201711057557.9
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/455 H01L29/49 H01L23/64
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-11-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/34
申请日 : 20171101
申请日 : 20171101
2018-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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