半导体基材及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种半导体基材，其包括：单晶硅晶片、位于该表面处、含有硅和锗的松弛单晶层，其中该层表面处的锗含量在10重量％至100重量％的范围内，而周期性设置的空腔的层位于所述表面的下方。本发明还涉及用于制造该半导体基材的方法，以及由该半导体基材所制的sSOI晶片。
基本信息
专利标题 ：
半导体基材及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773677A
申请号 ：
CN200510120392.6
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迪尔克·丹兹安德烈亚斯·胡贝尔赖因霍尔德·瓦利希布赖恩·墨菲
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
过晓东
优先权 ：
CN200510120392.6
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/762 H01L27/12 C30B29/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2011-01-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101032114822
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2005101203926
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20091211
号牌文件序号 : 101032114822
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2005101203926
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20091211
2008-11-12 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
