半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在整个衬底上制备半导体膜；制备具有垂直于激光束传播方向的截面的激光束；调节激光，使其在第一方向的截面增加，在垂直于所述第一方向的第二方向的截面减小；用调节过的激光束照射半导体膜；和改变半导体膜相对于调节过的激光束在第二方向的位置；激光束的调节包括：在第一方向扩大激光束的截面；在第一方向均匀化激光束的能量分布；在第二方向均匀化激光束的能量分布；在第二方向会聚激光束的截面。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1414604A
申请号 ：
CN01104516.7
公开（公告）日 ：
2003-04-30
申请日 ：
1993-06-26
授权号 ：
CN1216404C
授权日 ：
2005-08-24
发明人 ：
山崎舜平张宏勇石原浩朗
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
叶恺东
优先权 ：
CN01104516.7
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/324 G02F1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2013-08-21 ：
专利权的终止
专利权有效期届满申请日 : 19930626
授权公告日 : 20050824
期满终止日期 : 20130626
号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101510923417
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL011045167
授权公告日 : 20050824
期满终止日期 : 20130626
号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101510923417
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL011045167
2005-08-24 ：
授权
2003-07-16 ：
实质审查的生效
2003-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
