多孔基材结构及其制造方法
公开
摘要
本发明提供一种多孔基材结构及其制造方法。所述多孔基材结构包括基材、阳极氧化铝层以及双金属氧化物层。所述基材具有多个孔洞。所述阳极氧化铝层设置于所述基材上。所述双金属氧化物层设置于所述阳极氧化铝层上。
基本信息
专利标题 ：
多孔基材结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114618323A
申请号 ：
CN202110053405.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-01-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄军儒纪岩勳张秉宏
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
张燕华
优先权 ：
CN202110053405.1
主分类号 ：
B01D69/10
IPC分类号 ：
B01D69/10 B01D71/02 B01D53/22
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01D69/00
以形状、结构或性能为特征的用于分离工艺或设备的半透膜；其专用制备方法
B01D69/10
支撑的膜；膜的支撑物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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