半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
一种制造半导体器件的方法，例如制造薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、锗、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1285611A
申请号 ：
CN00103833.8
公开（公告）日 ：
2001-02-28
申请日 ：
1993-12-04
授权号 ：
CN1149634C
授权日 ：
2004-05-12
发明人 ：
张宏勇鱼地秀贵高山彻福永健司竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李亚非
优先权 ：
CN00103833.8
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2014-02-05 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101567130270
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL001038338
申请日 : 19931204
授权公告日 : 20040512
期满终止日期 : 20131204
号牌文件序号 : 101567130270
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL001038338
申请日 : 19931204
授权公告日 : 20040512
期满终止日期 : 20131204
2004-05-12 ：
授权
2001-02-28 ：
公开
2001-01-31 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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