制造半导体器件的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
该发明涉及用高阻值的电阻器制造半导体器件的方法。在本发明中，首先形成第一层多晶硅层，它与在半导体衬底中形成的电接触部分接触。其次，在第一层多晶硅层上面形成第二层含氧多晶硅层。然后退火，以消除在两层多晶硅层之间形成的氧化物。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85109507A
申请号 ：
CN85109507.0
公开（公告）日 ：
1986-06-10
申请日 ：
1985-12-04
授权号 ：
CN1005802B
授权日 ：
1989-11-15
发明人 ：
矢元久良铃木秀雄
申请人 ：
索尼公司
申请人地址 ：
日本东京都品川区北品川6丁目7番35号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN85109507.0
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/324 H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1993-03-31 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-08-08 ：
授权
1989-11-15 ：
审定
1988-03-30 ：
实质审查请求
1986-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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