本申请案涉及形成半导体装置的方法并且涉及相关半导体装置和系统。一种形成半导体装置的方法包括形成牺牲性结构和支撑柱。所述牺牲性结构包括狭缝区中的经隔离牺牲性结构和柱区中的经连接牺牲性结构。在所述牺牲性结构和支撑柱上方形成层次，且移除所述层次的一部分以形成层次柱和层次开口，从而暴露所述经连接牺牲性结构和支撑柱。移除所述经连接牺牲性结构以形成腔，所述腔的一部分在所述经隔离牺牲性结构下方延伸。在所述层次柱上方和所述腔的侧壁上方形成单元膜。在所述层次开口中和所述单元膜上方形成填充材料。移除所述狭缝区中的所述层次的一部分，从而暴露所述经隔离牺牲性结构，移除所述经隔离牺牲性结构以形成源极开口。将所述源极开口连接到所述腔，且在所述源极开口中和所述腔中形成导电材料。还公开半导体装置和系统。