互补式金氧半微机电麦克风及其制作方法
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摘要
本发明公开了一种互补式金氧半微机电麦克风及其制作方法，首先，提供一互补式金氧半装置，其包含依序由下而上设置的一半导体基板、一第一氧化绝缘层、一有掺杂多晶硅层、一第二氧化绝缘层、一图案化多晶硅层与一金属布线层，金属布线层设于第二氧化绝缘层上，图案化多晶硅层包含未掺杂多晶硅。接着，移除部分的金属布线层，以形成一金属电极，并于半导体基板开设贯穿自身的一空腔，以露出第一氧化绝缘层，进而形成一微机电麦克风。本发明利用图案化多晶硅层的未掺杂多晶硅避免有掺杂多晶硅层与金属电极发生短路。
基本信息
专利标题 ：
互补式金氧半微机电麦克风及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110316692A
申请号 ：
CN201910435517.6
公开（公告）日 ：
2019-10-11
申请日 ：
2019-05-23
授权号 ：
CN110316692B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王传蔚
申请人 ：
王传蔚
申请人地址 ：
中国台湾桃园市
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN201910435517.6
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 B81B7/00 B81B7/02 H04R31/00 H04R1/08
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-11-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20190523
申请日 : 20190523
2019-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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