微元件制作方法
专利权的终止
摘要
制作微元件的方法，首先利用具第一波长的光源对适用于第二波长的光致抗蚀剂层进行曝光，对该适用于第二波长的光致抗蚀剂层进行显影以得到感光区块，对感光区块进行热回流工艺以形成微元件。
基本信息
专利标题 ：
微元件制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101008682A
申请号 ：
CN200610006059.7
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余政宏
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610006059.7
主分类号 ：
G02B3/00
IPC分类号 ：
G02B3/00 G03F7/00 H01L31/0232
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B3/00
简单或复合透镜
法律状态
2012-03-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101213109842
IPC(主分类) : G02B 3/00
专利号 : ZL2006100060597
申请日 : 20060124
授权公告日 : 20090304
终止日期 : 20110124
号牌文件序号 : 101213109842
IPC(主分类) : G02B 3/00
专利号 : ZL2006100060597
申请日 : 20060124
授权公告日 : 20090304
终止日期 : 20110124
2009-03-04 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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