一种横向双扩散晶体管

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摘要

本发明提供一种横向双扩散晶体管，该横向双扩散晶体管的主件区包括第一晶体管、第二晶体管和设置在所述第一晶体管与第二晶体管之间的第一ESD器件；所述第一晶体管和第二晶体管具有共连的源端、共连的漏端、共连的栅端和共连的体端；所述第一ESD器件包括接在所述共连的栅端上的负极，以及设置在所述负极左右两侧的两个正极，所述两个正极接在所述共连的源端上；所述副件区包括第二ESD器件，所述第二ESD器件的输入端接在所述共连的栅端，输出端接地。本发明可以克服现有技术中ESD从漏端涌入时导致器件呈现非均匀开启而产生的损坏，以此提高器件的防ESD能力。

基本信息

专利标题：

一种横向双扩散晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113345964A

申请号：

CN202110533925.2

公开（公告）日：

2021-09-03

申请日：

2021-05-17

授权号：

CN113345964B

授权日：

2022-05-10

发明人：

韩广涛王炜槐

申请人：

杰华特微电子股份有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

代理机构：

杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

唐灵

优先权：

CN202110533925.2

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/02