一种横向静电感应晶体管
授权
摘要
本实用新型公开了一种横向静电感应晶体管，涉及半导体技术领域，该静电感应晶体管的源极和漏极均位于N型硅层的表面，间隔设置的P型栅块与表面的连接P型栅块的P型外栅共同构成栅极，P型栅块之间形成沟道区，该器件区别于传统的纵向的SIT结构，其电流方向为水平方向流动，三个电极均位于芯片的正面，可以便利集成到常规集成电路当中，而且器件的耐压由栅极到漏极之间的距离以及N型硅层浓度决定，理论上耐压不受限，器件性能更优良；而且器件沟道上方最表面区域将呈现P型，不再参与导电，从而规避器件表面不良效应的影响，提升器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种横向静电感应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921958966.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-13
授权号 ：
CN210443562U
授权日 ：
2020-05-01
发明人 ：
范捷万立宏王绍荣
申请人 ：
江苏丽隽功率半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市五湖大道11号蠡湖科创中心南楼1209室
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂启新
优先权 ：
CN201921958966.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2020-05-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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