一种横向静电感应晶体管
授权
摘要
本实用新型公开了一种横向静电感应晶体管,涉及半导体技术领域,该静电感应晶体管的源极和漏极均位于N型硅层的表面,间隔设置的P型栅块与表面的连接P型栅块的P型外栅共同构成栅极,P型栅块之间形成沟道区,该器件区别于传统的纵向的SIT结构,其电流方向为水平方向流动,三个电极均位于芯片的正面,可以便利集成到常规集成电路当中,而且器件的耐压由栅极到漏极之间的距离以及N型硅层浓度决定,理论上耐压不受限,器件性能更优良;而且器件沟道上方最表面区域将呈现P型,不再参与导电,从而规避器件表面不良效应的影响,提升器件的可靠性。
基本信息
专利标题 :
一种横向静电感应晶体管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921958966.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-13
授权号 :
CN210443562U
授权日 :
2020-05-01
发明人 :
范捷万立宏王绍荣
申请人 :
江苏丽隽功率半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市五湖大道11号蠡湖科创中心南楼1209室
代理机构 :
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
聂启新
优先权 :
CN201921958966.0
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2020-05-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载