镓铟砷(GaInAs)横向光电晶体管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
镓铟砷横向光电晶体管是根据横向光电晶体管的原理制作的一种均匀掺杂、宽基区，发射极结和集电极结在镓铟砷处延层顶部横向排列，电极对称，极性任意的光电器件。其是镓铟砷横向光电晶体管(5)与结型场效应晶体管(6)可以集成在一个镓铟砷外延层上，做成光电器件与电子器件集成在一起的长波长接收器。其最大优点是两种器件外延层共用；工艺相容，而制作的长波长接收器可广泛用于光纤通信接收机和中继器。
基本信息
专利标题 ：
镓铟砷(GaInAs)横向光电晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1094188A
申请号 ：
CN93114285.7
公开（公告）日 ：
1994-10-26
申请日 ：
1993-11-11
授权号 ：
CN1034251C
授权日 ：
1997-03-12
发明人 ：
李安民
申请人 ：
中国科学院半导体研究所;电子工业部第十三研究所
申请人地址 ：
100083北京市912信箱
代理机构 ：
中科专利代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN93114285.7
主分类号 ：
H01L21/70
IPC分类号 ：
H01L21/70 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
法律状态
1998-12-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-03-12 ：
授权
1994-10-26 ：
公开
1994-08-17 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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