金氧半导体晶体管及其间的自我对准接触以及其制造方法
授权
摘要
本发明提供一种在两个金氧半导体晶体管之间形成一自我对准接触的方法，包含以下步骤：于一个半导体基板的一表面上方形成一第一构造与一第二构造，以及位于该第一构造与该第二构造之间的一间隔；于该第一构造的一上表面上方形成一第一材料的一第一覆盖层；以及于该第二构造的一上表面上形成该第一材料的一第二覆盖层，该些覆盖层彼此分离并延伸遍及该间隔，且比该基板更靠近该上表面。此方法支持用以在采用多晶硅化金属技术的奈米应用中形成这些接触的低电阻系数金属硅化物的使用。氮化硅与光阻材料在形成自我对准接触时是作为双光罩用。
基本信息
专利标题 ：
金氧半导体晶体管及其间的自我对准接触以及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009246A
申请号 ：
CN200610004618.0
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钟维民
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行路16号
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
任永武
优先权 ：
CN200610004618.0
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2010-06-09 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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