侧壁半导体晶体管及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种新颖晶体管结构及用于制造该结构的方法。该晶体管结构包括：(a)衬底；以及(b)在所述衬底上的半导体区域，栅极介质区域，和栅极区域，其中所述栅极介质区域夹在所述半导体区域和所述栅极区域之间，其中所述半导体区域通过所述栅极介质区域与所述栅极区域电绝缘，其中所述半导体区域包括沟道区域和第一和第二源极/漏极区域，其中所述沟道区域夹在所述第一和第二源极/漏极区域之间，其中所述第一和第二源极/漏极区域与所述栅极区域对准，其中所述沟道区域和所述栅极介质区域(i)共享基本上垂直于所述衬底的上表面的界面表面，以及(ii)不共享基本上平行于所述衬底的上表面的任何界面表面。

基本信息

专利标题：

侧壁半导体晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1790738A

申请号：

CN200510114905.2

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-11-11

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朱慧珑L·A·克莱文格O·H·多库马奇K·A·库马尔C·J·拉登斯D·奇丹巴拉奥

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200510114905.2

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336