晶体管和半导体电路的制造方法
专利权的终止
摘要
形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。
基本信息
专利标题 ：
晶体管和半导体电路的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1215223A
申请号 ：
CN98116320.3
公开（公告）日 ：
1999-04-28
申请日 ：
1994-03-12
授权号 ：
CN1221018C
授权日 ：
2005-09-28
发明人 ：
张宏勇鱼地秀贵竹村保彦高山彻山本睦夫
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
叶恺东
优先权 ：
CN98116320.3
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/00 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2014-04-16 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101581485310
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL981163203
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20050928
期满终止日期 : 20140312
号牌文件序号 : 101581485310
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL981163203
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20050928
期满终止日期 : 20140312
2005-09-28 ：
授权
1999-04-28 ：
公开
1999-04-07 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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