半导体电路的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化。
基本信息
专利标题 ：
半导体电路的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1328340A
申请号 ：
CN01116633.9
公开（公告）日 ：
2001-12-26
申请日 ：
1994-03-12
授权号 ：
CN1305107C
授权日 ：
2007-03-14
发明人 ：
张宏勇高山彻竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN01116633.9
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2014-05-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101582077564
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL011166339
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20070314
终止日期 : 20130312
号牌文件序号 : 101582077564
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL011166339
申请日 : 19940312
授权公告日 : 20070314
终止日期 : 20130312
2007-03-14 ：
授权
2001-12-26 ：
公开
2001-11-14 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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