一种半导体电路及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体电路，U相逆变组件、V相逆变组件和W相逆变组件均包括HVIC驱动芯片、LVIC驱动芯片、第一辅助散热片、第二辅助散热片、上桥臂三极晶体功率管和下桥臂三极晶体功率管；HVIC驱动芯片、第一辅助散热片和上桥臂三极晶体功率管从上到下依次连接，上桥臂三极晶体功率管设置于铝基板；LVIC驱动芯片、第二辅助散热片和下桥臂三极晶体功率管从上到下依次连接，下桥臂三极晶体功率管设置于铝基板。还公开了所述半导体电路的制造方法。所述半导体电路及其制造方法解决了现有的半导体电路占用空间大，而且散热不佳的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530443A
申请号 ：
CN202210055701.X
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯宇翔张土明
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
代理机构 ：
佛山市禾才知识产权代理有限公司
代理人 ：
陆应健
优先权 ：
CN202210055701.X
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/367 H01L21/50 H05K7/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/16
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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