可提升功率密度的半导体电路及半导体电路的制造方法
公开
摘要
本发明涉及一种半导体电路及半导体电路的制造方法，包括电路基板、多个分立器件、第一密封层、驱动芯片、多个引脚和第二密封层，通过设置覆盖面积较大的第一密封层，以重叠的方式在第一密封层的表面设置驱动芯片，从而使得驱动芯片和分立器件之间形成上下重叠设置，相对同样尺寸的元件平面设置的半导体电路，可以增大功率器件的面积，从而增加半导体电路的过电流能力，以此提高半导体电路的功率密度。
基本信息
专利标题 ：
可提升功率密度的半导体电路及半导体电路的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628378A
申请号 ：
CN202210128329.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯宇翔
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
代理机构 ：
深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈建昌
优先权 ：
CN202210128329.0
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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