半导体电路制造工艺、后固化设备和半导体电路生产线
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体电路制造工艺、后固化设备和半导体电路生产线，其中，半导体电路制造工艺包括：将经密封封装后的半成品进行切筋成型处理；将切筋成型后的半成品进行后固化处理，并在后固化处理过程中对所述半成品进行所述高温电参数测试；将经所述高温电参数测试确定合格的半成品进行打标处理。本发明技术方案，有效提升了半导体电路的生产效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体电路制造工艺、后固化设备和半导体电路生产线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334668A
申请号 ：
CN202111593537.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯宇翔左安超张土明谢荣才
申请人 ：
广东汇智精密制造有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之二（住所申报）
代理机构 ：
深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
隆毅
优先权 ：
CN202111593537.X
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/66 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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