具有应变沟道区的非平面MOS结构
专利权的终止
摘要
实施方案是包括应变沟道区的非平面MOS晶体管结构。非平面MOS晶体管结构，尤其是NMOS三栅晶体管，和应变沟道优点的结合，使得与具有非应变沟道的非平面MOS结构或者包含应变沟道的平面MOS结构相比，就给定栅长度宽度而言，改善了晶体管驱动电流、开关速度，并减少了漏电流。
基本信息
专利标题 ：
具有应变沟道区的非平面MOS结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142688A
申请号 ：
CN200680008711.7
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·多伊尔S·达塔B·－Y·金R·曹
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
周铁
优先权 ：
CN200680008711.7
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336
法律状态
2019-12-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20060104
授权公告日 : 20120523
终止日期 : 20190104
申请日 : 20060104
授权公告日 : 20120523
终止日期 : 20190104
2012-05-23 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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