使用牺牲隔离体的应变沟道FET

专利申请权、专利权的转移

摘要

提供了一种场效应晶体管(FET)(10)，其包括栅极叠层(29)，一对设置在所述栅极叠层(29)的侧壁上的第一隔离体(32)以及一对设置在所述栅极叠层(29)的相对两侧并与栅极叠层相隔第一距离的单晶半导体合金区(39)。所述FET(10)的源区和漏区(24)至少部分设置在所述半导体合金区(39)中，并由所述第一隔离体(32)对中的相应隔离体与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离可以不同于所述第一距离。所述FET(10)还可以包括设置在所述第一隔离体(32)上的第二隔离体(34)以及至少部分上覆盖所述半导体合金区(39)的硅化物区(40)，其中该硅化物区(40)被所述第一和第二隔离体(32，34)与所述栅极叠层(29)隔开。

基本信息

专利标题：

使用牺牲隔离体的应变沟道FET

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101032018A

申请号：

CN200580032811.9

公开（公告）日：

2007-09-05

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈华杰杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥吴尚贤斯德哈萨·潘达沃纳·A.·劳施佐藤力亨利·K.·尤托莫

申请人：

国际商业机器公司;株式会社东芝

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李春晖

优先权：

CN200580032811.9

主分类号：

H01L21/8238

IPC分类号：

H01L21/8238 H01L21/336

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8238

互补场效应晶体管，例如CMOS

法律状态

2018-08-10 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/8238
登记生效日 : 20180720
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 国际商业机器公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 株式会社东芝
变更后权利人 : 东芝电子元件及存储装置株式会社

2012-02-01 ：

授权

2007-10-31 ：

实质审查的生效

2007-09-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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