基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管，弥补了传统铁电场效应二维晶体管在存内计算方面的不足。包括在衬底上依次由上至下竖直分布的顶栅电极层、顶部铁电层、二维半导体沟道层、底部铁电层、底栅电极层；源极、漏极分别位于顶部铁电层两侧。底栅电极、漏极、源极和顶栅电极层采用金属Au材料，二维半导体沟道层采用MoS2或MoTe2材料，底部铁电层和顶部铁电层均采用P(VDF‑TrFE)材料。本发明通过双铁电栅耦合效应对TMDC沟道进行电调控，实现对于TMDC沟道的非易失导电率调整。同时，双铁电栅二维晶体管采用上下铁电层的独立极化作为两个逻辑输入，可根据双铁电栅中极化方向的4种不同组合实现双输入布尔存储逻辑运算及其逻辑态的非易失保持，从而得到存内计算的功能。
基本信息
专利标题 ：
基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464681A
申请号 ：
CN202210091286.3
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘艳罗拯东杨麒玉檀东昕韩根全郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
西安文盛专利代理有限公司
代理人 ：
佘文英
优先权 ：
CN202210091286.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/34
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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