一种双栅铁电晶体管、制备方法及数据擦写及读出方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于晶体管技术领域，公开了一种双栅铁电晶体管、制备方法及数据擦写及读出方法，包括衬底和沟道，所述沟道设置在衬体上方且位于衬体的中部，所述沟道两侧分别设置有源极区和漏极区；所述源极区上设置有源电极，所述漏极区上设置有漏电极，所述沟道上方从下到上依次设置有绝缘层、下栅电极、铁电栅介质层和上栅电极。有益效果：本发明的双栅铁电场晶体管通过在上栅电极和下栅电极间加脉冲实现擦写过程，避免电压落在绝缘层上；进而避免绝缘层上电场过大导致绝缘层击穿，提高了晶体管的抗疲劳特性；还能避免绝缘层分压，从而减小铁电场效应晶体管的编程和擦除电压以及工作电压。
基本信息
专利标题 ：
一种双栅铁电晶体管、制备方法及数据擦写及读出方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530503A
申请号 ：
CN202210089687.5
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭悦肖文武张悦媛韩根全
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕金金
优先权 ：
CN202210089687.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 G11C11/22
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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