一种铁电半导体器件的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种铁电半导体器件的制备方法，应用于微电子技术领域，该方法包括:提供半导体基材；采用预先制备的HfZrO4靶材，通过溅射工艺在半导体基材的上方形成HZO基铁电薄膜层。通过本发明至少在一定程度上解决了现有技术中铁电半导体器件的生产效率低、铁电性能较差、漏电大的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种铁电半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628234A
申请号 ：
CN202210189814.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗庆王渊姜鹏飞刘明
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
马苗苗
优先权 ：
CN202210189814.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/336 H01L49/02 C23C14/08 C23C14/34 C23C14/58
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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