一种铁电半导体器件的制备方法
公开
摘要
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种铁电半导体器件的制备方法，包括：利用Hf单质靶材和Zr单质靶材，采用溅射工艺，制备HZO铁电层，以形成铁电半导体器件，解决了现有技术中采用原子层沉积方法生长铁电层时，造成生长效率低，且铁电层质量无法保障，影响铁电半导体的可靠性的技术问题，进而采用Hf单质靶材和Zr单质靶材进行溅射，形成HZO铁电层，提高了铁电层的质量，提高了铁电半导体器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种铁电半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606469A
申请号 ：
CN202210192396.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗庆王渊姜鹏飞刘明
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
马苗苗
优先权 ：
CN202210192396.9
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/34 C23C14/08 H01L23/64 H01L21/336
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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