基于铁电材料的半导体掺杂方法
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摘要
本发明公开了一种基于铁电材料的半导体掺杂方法，主要解决现有掺杂方法精度低、均匀性差及对半导体材料有晶格损伤的问题。其实现方案是：1)使用包含不同的铁电元素的气体作为前驱体，利用原子层淀积工艺在半导体衬底上生长一层5‑15nm厚的相应铁电材料；2)使用不同的金属靶材，利用磁控溅射工艺在铁电材料上生长一层50‑100nm的相应金属电极；3)在金属电极上施加正脉冲电压或负脉冲电压，以控制铁电材料的剩余极化电荷，在半导体衬底中诱导出相应的电子或空穴，完成对半导体的掺杂。本发明提高了半导体材料的掺杂精度、掺杂均匀性及掺杂浓度，避免了对半导体材料的晶格损伤，可用于微电子器件的制备。
基本信息
专利标题 ：
基于铁电材料的半导体掺杂方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113140449A
申请号 ：
CN202110408852.4
公开（公告）日 ：
2021-07-20
申请日 ：
2021-04-16
授权号 ：
CN113140449B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
刘艳周久人唐建韩根全郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN202110408852.4
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225 H01L21/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-08-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/225
申请日 : 20210416
申请日 : 20210416
2021-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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