本发明涉及一种在基片上定向生长高c轴取向的钕掺杂钛酸铋[(Bi，Nd)₄Ti₃O₁₂，BNT]纳米线阵列铁电存储材料及其合成方法，它是先选择一种与BNT材料晶格匹配的基片，并采用磁控溅射方法在基片上溅射Au或Pt量子点作催化剂，配制含Bi³⁺、Nd³⁺和Ti⁴⁺的前驱体溶液，然后将基片和前驱体溶液放入高压反应器内，严格控制水热合成的工艺条件(如温度、压强、反应时间等)，生长合成出高c轴取向钕掺杂钛酸铋纳米线阵列铁电存储材料，利用纳米线阵列的垂直记录模式，将大大提高材料单位面积上的存储容量，从而将使器件尺寸进一步降低。铁电纳米线阵列可望取代铁电薄膜在铁电存储介质方面的应用，成为新一代铁电存储材料。