一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法，铁电忆阻器件设置在衬底上，铁电忆阻器件包括从下至上依次布设的底电极、阻变层和顶电极，所述底电极和顶电极的材质为TiN，所述阻变层的材质为La2Ti2O7；所述阻变层的底面与所述底电极的顶面相接触，所述阻变层的顶面与所述顶电极的底面相接触；所述铁电忆阻器件集成有1个区域的NJUPT字样的单一器件、2个区域的长方形单一器件、3个区域的圆形单一器件、9个3×3忆阻器阵列、3个8×8忆阻器阵列、1个12×12忆阻器阵列。
基本信息
专利标题 ：
一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284430A
申请号 ：
CN202111369840.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈星宇张缪城秦琦戎焕焕童祎
申请人 ：
南京邮电大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘艳艳
优先权 ：
CN202111369840.1
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20211118
申请日 : 20211118
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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