一种基于超薄铁电薄膜的铁电光伏忆阻器
公开
摘要
本发明涉及半导体处理器件领域，具体为以铁电光伏效应为基础，借助激光脉冲沉积技术生长光电神经突触忆阻器件。常规的电信号神经突触忆阻器由于完全依赖于电信号处理，这将使器件受限于高发热和功耗，无法实现大面积集成和高数据量的并行运算，这降低了类脑元器件的数据量处理能力和数据处理速度。本项发明设计思路摒弃了单一电信号写入和读取的工作机制，进而转为电信号写入和光电信号读取的设计理念，优化器件结构，在保证电信号写入速度的前提下，实现高速光电信号的读取。这种电信号写入‑光电信号读取的特殊方式将有效提高忆阻器数据读取的速度和降低数据读取功耗，为拓展开发下一代数据处理设备提供了一种全新的设计思路。
基本信息
专利标题 ：
一种基于超薄铁电薄膜的铁电光伏忆阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530554A
申请号 ：
CN202210191988.9
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏浩铭陈扬吴仰晴曹丙强
申请人 ：
曲阜师范大学
申请人地址 ：
山东省济宁市曲阜市静轩西路57号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210191988.9
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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