多值忆阻器及其阵列

授权

摘要

本实用新型提供了一种多值忆阻器及其阵列，包括衬底，相对设置于衬底上的第一电极以及第二电极，所述多值忆阻器还包括设置于衬底上的功能层，所述功能层位于第一电极以及第二电极之间，且第一电极以及第二电极和功能层接触连接，所述第一电极以及第二电极各自包括相对且接近的前端以及互相远离的后端，其中第一电极和/或第二电极自其前端至后端的宽度呈递增趋势。本实用新型设计具有前窄后宽的忆阻器电极对有助于降低忆阻器导电丝形成的随机性，提高了忆阻器的一致性；导电细丝的个数和外加电压有关，增加了忆阻器的电阻状态数；基于导电丝的忆阻器具有很好的非易失性。

基本信息

专利标题：

多值忆阻器及其阵列

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021505276.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-27

授权号：

CN212277227U

授权日：

2021-01-01

发明人：

程传同李刘杰陈弘达黄北举毛旭瑞

申请人：

江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市相城区青龙港路58号天成时代商务广场31层

代理机构：

苏州三英知识产权代理有限公司

代理人：

黄晓明

优先权：

CN202021505276.2

主分类号：

H01L45/00

IPC分类号：

H01L45/00 H01L27/24