忆阻器及其制备方法、应用
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种忆阻器及其制备方法，涉及微电子的技术领域。本发明的忆阻器包括依次排列的底电极、电介质层、阻变层以及顶电极；其中的电介质层为非晶二氧化硅，阻变层为铜掺杂钛酸锶。本发明解决了忆阻器耐受性不足、稳定性低以及均一性不佳的技术问题，达到了具有优异的耐久性能、出色的开关性能、高的稳定性能以及出色的均匀性的特点，可以长时间稳定地工作而不会发生任何退化的技术效果。
基本信息
专利标题 ：
忆阻器及其制备方法、应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497367A
申请号 ：
CN202210137256.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张兆华庄腾飞林鼎
申请人 ：
汇春科技（成都）有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区中国（四川）自由贸易试验区吉泰路10号1栋6层602号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘桐亚
优先权 ：
CN202210137256.1
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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