非易失多值忆阻器
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摘要
本发明揭示了一种非易失多值忆阻器，包括：衬底、以及依次形成于衬底上的金属底电极、功能层和金属顶电极，其中，金属底电极临近功能层的一侧表面还设置有若干金属纳米颗粒，若干金属纳米颗粒具有至少两种不同的尺寸。本发明的优点包括：所提供的忆阻器能够实现高一致性非易失多值的特性。
基本信息
专利标题 ：
非易失多值忆阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020972146.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-01
授权号 ：
CN211743191U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
陈子龙程传同李刘杰黄北举毛旭瑞
申请人 ：
江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区青龙港路58号天成时代商务广场31层
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄晓明
优先权 ：
CN202020972146.3
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
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法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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