一种基于二值忆阻器的正负三值锁存器电路
公开
摘要
本发明公开了一种基于二值忆阻器的正负三值锁存器电路。本发明包括三个相同的基本逻辑门和三个相同的复合逻辑门，对应的一个基本逻辑门和一个复合逻辑门构成一组逻辑单元。每个逻辑单元中，基本逻辑门包括两个忆阻器，负极作为基本逻辑门的输入端，正极连接，作为基本逻辑门输出端。复合逻辑门包括四个忆阻器和两个MOS管，一个忆阻器的正极接基本逻辑门输出端，负极与另一忆阻器的负极连接后接两个MOS管的栅极，一个MOS管的漏极通过忆阻器接电源，源极接另一个MOS管的漏极，并通过忆阻器接地。本发明电路模型结构清晰简单、易于实现，对多值数字逻辑电路设计等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种基于二值忆阻器的正负三值锁存器电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114301448A
申请号 ：
CN202111670316.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王晓媛周嘉维吴志茹李谱
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陈炜
优先权 ：
CN202111670316.8
主分类号 ：
H03K19/20
IPC分类号 ：
H03K19/20
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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