内部锁存器电路及其锁存信号产生方法
实质审查的生效
摘要

本发明是关于一种内部锁存器电路及其锁存信号产生方法。内部锁存器电路包括多个低初始值D型正反器、多个高初始值D型正反器、内部锁存信号产生电路以及与非门。首先,产生响应频率信号的输入延迟信号;接着,通过低初始值D型正反器以及高初始值D型正反器,基于所述内部选取脉冲信号并响应输入延迟信号,以产生第一内部输入信号、第一反向内部输入信号、第二内部输入信号以及第二反向内部输入信号,并传输至内部锁存信号产生电路;随后,通过内部锁存信号产生电路输出第一反向前输出信号以及第二反向前输出信号;最后,通过与非门产生内部锁存信号。以此,改善输入延迟信号的延迟时间对内部锁存信号影响,以确保稳定的执行内存的写入操作。

基本信息
专利标题 :
内部锁存器电路及其锁存信号产生方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496014A
申请号 :
CN202011145896.4
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-10-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李刚敏全相珉尹荣镇裴丞哲李光庚尹舜炳
申请人 :
美商矽成积体电路股份有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州米尔皮塔司市巴克艾路1623号
代理机构 :
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 :
许静
优先权 :
CN202011145896.4
主分类号 :
G11C11/406
IPC分类号 :
G11C11/406  G11C11/4076  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的,即,动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/406
申请日 : 20201023
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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