一种基于二值忆阻器串并联的三值忆阻器构建方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于二值忆阻器串并联的三值忆阻器构建方法。本发明通过对二值忆阻器模型的参数特性进行分析，发现两个二值忆阻器阻值状态发生转变的时间点不同会使串并联电路等效为三值忆阻器，而忆阻器的参数不同时或反向连接时都有可能使两个二值忆阻器的阻值状态发生改变的时间点不同。因此可将二值忆阻器串并联电路分为以下六种分别构建三值忆阻器。本发明是基于二值忆阻器构建出三值忆阻器，相比于普通的三值忆阻器的构建方法，本发明使得三值忆阻器实物器件的实现具有更大的可能性。
基本信息
专利标题 ：
一种基于二值忆阻器串并联的三值忆阻器构建方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114330222A
申请号 ：
CN202111645442.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王晓媛李谱黎小静
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街
代理机构 ：
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
周雷雷
优先权 ：
CN202111645442.8
主分类号 ：
G06F30/398
IPC分类号 ：
G06F30/398
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/398
设计验证或优化，例如：使用设计规则检查、布局与原理图或有限元方法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/398
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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