基于三值忆阻器1T1M交叉阵列复位和读写的实现方法
公开
摘要
本发明涉及一种基于三值忆阻器1T1M交叉阵列复位和读写的实现方法。本发明中的阵列单元由一个三值忆阻器Mi串联一个晶体Ti管组成。晶体管的导通电压为4V，记为VDD，三值忆阻器的三个稳定的阻值分别为RL、RM和RH。本发明设计了对三值忆阻器1T1M交叉阵列的复位和读写的方法，设计思路简洁，原理清晰，并且易于将该方法应用到相关领域中。
基本信息
专利标题 ：
基于三值忆阻器1T1M交叉阵列复位和读写的实现方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300013A
申请号 ：
CN202111645487.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张新睿王晓媛李谱黎小静
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街
代理机构 ：
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
周雷雷
优先权 ：
CN202111645487.5
主分类号 ：
G11C13/00
IPC分类号 ：
G11C13/00 G11C16/34 G11C5/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/00
特征在于使用不包括在G11C11/00，G11C23/00或G11C25/00各组内的存储元件的数字存储器
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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