一种新型忆阻器
授权
摘要
本实用新型涉及一种新型忆阻器，克服了现有采用有源电路芯片、所设计忆阻器模型结构复杂、成本高的缺点，采用全新设计结构，通过两个晶体管、两个二极管、四个电阻及两个电容组成忆阻器，具有结构简单、易实现、成本低、便于电路参数调整的优点，为科研人员研究忆阻器电路的生产和应用提供便利。
基本信息
专利标题 ：
一种新型忆阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920807191.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-31
授权号 ：
CN210270900U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
孙广辉赵慧慧徐志伟徐兆青
申请人 ：
南京邮电大学通达学院
申请人地址 ：
江苏省扬州市润扬南路33号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
许方
优先权 ：
CN201920807191.0
主分类号 ：
G06F30/20
IPC分类号 ：
G06F30/20
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210270900U.PDF
PDF下载
