一种半导体材料掺杂后退火的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体材料掺杂后退火的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体材料；在半导体材料上形成覆盖层；对形成有覆盖层的半导体材料进行掺杂；将掺杂后的半导体材料放入反应腔，调节微波输入功率以及气体压强，以激发反应腔中的反应气体产生等离子体，并基于等离子体对掺杂后的半导体材料进行退火处理；在退火处理后，去除覆盖层。上述方法提供了一种完全不同于传统热退火的全新的退火方式，通过激发等离子体来实现退火，从原理及工艺上实现了对现有退火方法的改进。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体材料掺杂后退火的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334644A
申请号 ：
CN202011072990.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘新宇尤楠楠王盛凯汤益丹白云田晓丽陆江陈宏杨成樾
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN202011072990.1
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 H01L21/265 H01L21/329
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/324
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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