掺杂半导体电热膜
公开
摘要
本发明提供掺杂的半导体电热膜，特别是掺锑或兼掺锑和硼的二氧化锡电热膜，现有的电热膜加热器皿中作为发热元件的电热膜是掺氟的二氧化锡电热膜，其耐热性和化学稳定性差，因而应用范围狭窄、实用性不强，本发明的掺以1％-10％的锑或再掺以＜1.5％的硼的二氧化锡电热膜可耐350℃—500℃的高温，并有良好的化学稳定性，从而可减少或避免漏电流，该种电热膜作为发热元件可广泛地应用于水或空气作为加热介质的加热器具上。
基本信息
专利标题 ：
掺杂半导体电热膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1033225A
申请号 ：
CN88108194.9
公开（公告）日 ：
1989-05-31
申请日 ：
1988-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张柏洲朱金鸟
申请人 ：
上海大华化轻工业公司
申请人地址 ：
上海市河南中路575弄4号
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
吴淑芳
优先权 ：
CN88108194.9
主分类号 ：
H05B3/12
IPC分类号 ：
H05B3/12 B05D1/02
法律状态
1989-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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