一种半导体的掺杂技术
专利申请的视为撤回
摘要
本发明公开了一种借助在稀薄气体的两个电极间施加电压产生辉光放电引发半导体掺杂的技术。它能在实现高掺杂浓度的同时获得对浅掺入层的有效控制，并且具有掺杂均匀、损伤小等效果。该技术设备简单，操作方便，成本低廉。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体的掺杂技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056017A
申请号 ：
CN90102351.5
公开（公告）日 ：
1991-11-06
申请日 ：
1990-04-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李秀琼王培大马祥彬孙惠玲王纯
申请人 ：
中国科学院微电子中心;中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100010北京市650信箱
代理机构 ：
北京林业大学专利事务所
代理人 ：
卢纪
优先权 ：
CN90102351.5
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225 C30B31/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
1994-01-12 ：
专利申请的视为撤回
1991-11-06 ：
公开
1991-02-06 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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