含氟的P型掺杂微晶半导体合金
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种含有充份密集的晶体夹杂物的以显著改善材料性能的、含氟掺硼P型硅基半导体微晶合金，以及该合金的制造方法。包含有至少一层暴露于入射光下的这种合金的单个电池或多层电池的光生伏打器件改善了填充因子和转换效率。
基本信息
专利标题 ：
含氟的P型掺杂微晶半导体合金
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108047A
申请号 ：
CN85108047.2
公开（公告）日 ：
1986-07-16
申请日 ：
1985-11-02
授权号 ：
CN85108047B
授权日 ：
1988-09-07
发明人 ：
萨布亨杜·古哈詹姆斯·库尔曼斯坦福·R·奥欣斯基
申请人 ：
能源转换装置公司
申请人地址 ：
美国密歇根州特洛伊西马佩尔路1675号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吴秉芬
优先权 ：
CN85108047.2
主分类号 ：
H01L21/24
IPC分类号 ：
H01L21/24 H01L31/06 H01L21/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/24
杂质材料与半导体本体的合金化
法律状态
1993-09-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-07-05 ：
授权
1986-07-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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