使用衬底倾斜的半导体掺杂
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种用于在衬底中注入掺杂剂的方法和一种利用此注入制造半导体器件的方法。用于注入掺杂剂的方法，除了其它步骤，包括：围绕相对于注入源(320)在第一方向的轴线倾斜位于注入台板(305)上或其上方的衬底(310)，并且在衬底(310)在第一方向倾斜的情况下，将注入剂量的一部分注入；此后，在与所述第一方向相反的第二方向倾斜所述衬底；以及在所述衬底(310)在所述第二方向倾斜的情况下，将注入剂量的另一部分注入。
基本信息
专利标题 ：
使用衬底倾斜的半导体掺杂
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101061573A
申请号 ：
CN200580039980.5
公开（公告）日 ：
2007-10-24
申请日 ：
2005-10-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·格尼姆J·D·伯恩斯坦L·S·罗伯特松J·许J·洛伊克
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200580039980.5
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/425
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-10-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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