半导体的光致核嬗变掺杂
被视为撤回的申请
摘要
一种用于掺杂半导体材料的工艺及设备，借助于光致核反应，将其中的半导体材料的原子嬗变为选择掺杂物的原子。
基本信息
专利标题 ：
半导体的光致核嬗变掺杂
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87100971A
申请号 ：
CN87100971
公开（公告）日 ：
1987-09-09
申请日 ：
1987-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戴维·詹姆斯·索利·芬德利
申请人 ：
英国原子能管理局
申请人地址 ：
英国英格兰
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN87100971
主分类号 ：
C30B31/00
IPC分类号 ：
C30B31/00 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
法律状态
1989-12-06 ：
被视为撤回的申请
1987-09-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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